GaAs-FET a basso rumore

• Tipologia:
  GaAs-FET
• Tensione drain-source (V_ds):
  5 V
• Tensione gate-source (V_gs):
  -4 V
• Corrente di drain (I_d):
  130 mA
• Guadagno associato (G_a):
  13 dB
• Potenza dissipata:
  430 mW
• Frequenza max.:
  6 GHz
• Contenitore:
  micro-X
• Montaggio:
  SMD

GaAs-FET a basso rumore

GaAs-FET adatto anche come amplificatore o post-amplificatore ad alta dinamica.

la serie ATF-10136, ATF-10236 e ATF-10736 fanno parte della stessa famiglia e tra di loro sono uguali tranne una selezione sulla NF con il modello ATF-10136 a minor NF.

ATF-10136
- 0.4 dBNF @ 2 GHz 16.5 dBG
- 0.5 dBNF @ 4 GHz 13 dBG
- 0.8 dBNF @ 6 GHz 11 dBG
- P1dB 20 dBm @ 4 GHz, 9 dBG @ 10 GHz

ATF-10236
- 0.6 dBNF @ 2 GHz 16.5 dBG
- 0.8 dBNF @ 4 GHz 13 dBG
- 1 dBNF @ 6 GHz 10.5 dBG
- P1dB 20 dBm @ 4 GHz, 8 dBG @ 10 GHz

ATF-10736
- 0.9 dBNF @ 2 GHz 16.5 dBG
- 1.2 dBNF @ 4 GHz 13 dBG
- 1.4 dBNF @ 6 GHz 11 dBG
- P1dB 20 dBm @ 4 GHz, 8 dBG @ 10 GHz

(Nota: ATF-10236 è sostiuibile con ATF-10136 o ATF-10736)