Transistors - BJT

Code commande: 2N1613

STMicroelectronics 2N1613

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39

Code commande:	2N1613
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39 STMicroelectronics 2N1613
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	50 V
Fréquence de transition (fT):	80 MHz
Courant collecteur (Ic max):	500 mA
Puissance dissipée (Ptot):	800 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 284 pcs

Code commande: 2N2484

National Semiconductor 2N2484

Transistor RF bipolaire NPN, TO-18

Code commande:	2N2484
	Transistor RF bipolaire NPN, TO-18 National Semiconductor 2N2484
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	60 V
Fréquence de transition (fT):	60 MHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	360 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-18
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 23 pcs

Code commande: 2N2905A

Motorola 2N2905A

Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-39

Code commande:	2N2905A
	Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-39 Motorola 2N2905A
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-60 V
Fréquence de transition (fT):	200 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-600 mA
Puissance dissipée (Ptot):	600 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 81 pcs

Code commande: 2N2907A

Fairchild Semiconductor 2N2907A

Transistor RF bipolaire PNP, TO-18

Code commande:	2N2907A
	Transistor RF bipolaire PNP, TO-18 Fairchild Semiconductor 2N2907A
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-60 V
Fréquence de transition (fT):	200 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-600 mA
Puissance dissipée (Ptot):	1.8 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-18
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 628 pcs

Code commande: 2N3251

Motorola 2N3251

Transistor RF bipolaire NPN, TO-18

Code commande:	2N3251
	Transistor RF bipolaire NPN, TO-18 Motorola 2N3251
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	40 V
Fréquence de transition (fT):	300 MHz
Courant collecteur (Ic max):	200 mA
Puissance dissipée (Ptot):	360 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-18
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 2000 pcs

Code commande: 2N3505

SGS 2N3505

Transistor RF bipolaire PNP, TO-18

Code commande:	2N3505
	Transistor RF bipolaire PNP, TO-18 SGS 2N3505
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-60 V
Fréquence de transition (fT):	200 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-600 mA
Puissance dissipée (Ptot):	1.3 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-18
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 284 pcs

Code commande: 2N3707

Texas Instruments 2N3707

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	2N3707
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92 Texas Instruments 2N3707
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	30 V
Fréquence de transition (fT):	100 MHz
Courant collecteur (Ic max):	30 mA
Puissance dissipée (Ptot):	625 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 6800 pcs

Code commande: 2N3866

Motorola 2N3866

Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39

Code commande:	2N3866
	Transistor RF NPN, 1 W, 400 MHz, TO-39 Motorola 2N3866
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	30 V
Fréquence de transition (fT):	500 MHz
Courant collecteur (Ic max):	400 mA
Puissance dissipée (Ptot):	5 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 111 pcs

Code commande: 2N3904

Fairchild Semiconductor 2N3904

Transistor RF bipolaire NPN, TO-92

Code commande:	2N3904
	Transistor RF bipolaire NPN, TO-92 Fairchild Semiconductor 2N3904
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	40 V
Fréquence de transition (fT):	300 MHz
Courant collecteur (Ic max):	200 mA
Puissance dissipée (Ptot):	625 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 2985 pcs

Code commande: 2N5109

Central Semiconductor Corp. 2N5109

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39

Code commande:	2N5109
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39 Central Semiconductor Corp. 2N5109
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	20 V
Fréquence de transition (fT):	1.2 GHz
Courant collecteur (Ic max):	400 mA
Puissance dissipée (Ptot):	1 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 11 pcs

Code commande: 2N5179

SGS 2N5179

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	2N5179
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 SGS 2N5179
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	12 V
Fréquence de transition (fT):	1.4 GHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	300 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 1712 pcs

Code commande: 2N5415

STMicroelectronics 2N5415

Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-39

Code commande:	2N5415
	Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-39 STMicroelectronics 2N5415
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-200 V
Fréquence de transition (fT):	15 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-1 A
Puissance dissipée (Ptot):	10 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 195 pcs

Code commande: 2N914-JANTX

Motorola 2N914-JANTX

Mil-Spec JAN Transistor RF bipolaire NPN, TO-18

Code commande:	2N914-JANTX
	Mil-Spec JAN Transistor RF bipolaire NPN, TO-18 Motorola 2N914-JANTX
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Fréquence de transition (fT):	300 MHz
Courant collecteur (Ic max):	150 mA
Puissance dissipée (Ptot):	360 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-18
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 85 pcs

Code commande: 2N918

STMicroelectronics 2N918

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	2N918
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 STMicroelectronics 2N918
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	15 V
Fréquence de transition (fT):	900 MHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	300 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 889 pcs

Code commande: 2SC1070

NEC 2SC1070

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-103

Code commande:	2SC1070
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-103 NEC 2SC1070
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	25 V
Fréquence de transition (fT):	900 MHz
Courant collecteur (Ic max):	20 mA
Puissance dissipée (Ptot):	200 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-103
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 22 pcs

Code commande: 2SC2347

TOSHIBA 2SC2347

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	2SC2347
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92 TOSHIBA 2SC2347
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	15 V
Fréquence de transition (fT):	650 MHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	250 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 223 pcs

Code commande: 2SC2538

MITSUBISHI 2SC2538

Transistor RF bipolaire NPN, TO-92

Code commande:	2SC2538
	Transistor RF bipolaire NPN, TO-92 MITSUBISHI 2SC2538
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	17 V
Courant collecteur (Ic max):	400 mA
Puissance dissipée (Ptot):	3 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 12 pcs

Code commande: 2SC3356

NEC 2SC3356-T1B (R25)

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-23

Code commande:	2SC3356
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-23 NEC 2SC3356-T1B (R25)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	12 V
Fréquence de transition (fT):	7 GHz
Courant collecteur (Ic max):	100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	200 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-23
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 1838 pcs

Code commande: 2SC787

TOSHIBA 2SC787

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	2SC787
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 TOSHIBA 2SC787
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	20 V
Fréquence de transition (fT):	1 GHz
Courant collecteur (Ic max):	20 mA
Puissance dissipée (Ptot):	150 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 1000 pcs

Code commande: AF106

Telefunken AF106

Transistor RF PNP bipolaire au germanium, TO-72

Code commande:	AF106
	Transistor RF PNP bipolaire au germanium, TO-72 Telefunken AF106
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-18 V
Fréquence de transition (fT):	220 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-10 mA
Puissance dissipée (Ptot):	60 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 134 pcs

Code commande: AF239

SGS-ATES AF239

Transistor RF PNP bipolaire au germanium, TO-72

Code commande:	AF239
	Transistor RF PNP bipolaire au germanium, TO-72 SGS-ATES AF239
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-15 V
Fréquence de transition (fT):	700 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-10 mA
Puissance dissipée (Ptot):	60 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 1383 pcs

Code commande: AF379

AF379

Transistor RF PNP bipolaire au germanium, SOT-37

Code commande:	AF379
	Transistor RF PNP bipolaire au germanium, SOT-37 AF379
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-13 V
Fréquence de transition (fT):	1.25 GHz
Courant collecteur (Ic max):	-20 mA
Puissance dissipée (Ptot):	100 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-37
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 600 pcs

Code commande: ASY29

Philips ASY29

Transistor RF NPN bipolaire au germanium, TO-5

Code commande:	ASY29
	Transistor RF NPN bipolaire au germanium, TO-5 Philips ASY29
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	15 V
Fréquence de transition (fT):	20 MHz
Courant collecteur (Ic max):	200 mA
Puissance dissipée (Ptot):	150 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-5
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 202 pcs

Code commande: BC253B

ITT Semiconductors BC253B

Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	BC253B
	Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-92 ITT Semiconductors BC253B
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-25 V
Fréquence de transition (fT):	150 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	300 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 1200 pcs

Code commande: BF155

SGS-Thomson BF155

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	BF155
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 SGS-Thomson BF155
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	40 V
Fréquence de transition (fT):	800 MHz
Courant collecteur (Ic max):	20 mA
Puissance dissipée (Ptot):	200 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 6671 pcs

Code commande: BF173

SGS BF173

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	BF173
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 SGS BF173
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	25 V
Fréquence de transition (fT):	1 GHz
Courant collecteur (Ic max):	25 mA
Puissance dissipée (Ptot):	175 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 1157 pcs

Code commande: BF185

Telefunken BF185

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Code commande:	BF185
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72 Telefunken BF185
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	20 V
Fréquence de transition (fT):	200 MHz
Courant collecteur (Ic max):	30 mA
Puissance dissipée (Ptot):	145 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-72
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 8 pcs

Code commande: BF199F

Fairchild Semiconductor BF199

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	BF199F
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92 Fairchild Semiconductor BF199
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	25 V
Fréquence de transition (fT):	1100 MHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	350 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 516 pcs

Code commande: BF255

Thomson-CSF BF255

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	BF255
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-92 Thomson-CSF BF255
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	30 V
Fréquence de transition (fT):	250 MHz
Courant collecteur (Ic max):	300 mA
Puissance dissipée (Ptot):	30 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 1769 pcs

Code commande: BF259

STMicroelectronics BF259

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39

Code commande:	BF259
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39 STMicroelectronics BF259
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	300 V
Fréquence de transition (fT):	90 MHz
Courant collecteur (Ic max):	100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	5 W
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-39
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 99 pcs

Code commande: BF422

Motorola BF422

Transistor NPN bipolaire au silicium, TO-92

Code commande:	BF422
	Transistor NPN bipolaire au silicium, TO-92 Motorola BF422
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	250 V
Fréquence de transition (fT):	60 MHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	830 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 1000 pcs

Code commande: BF497

SGS-Thomson BF497

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-106

Code commande:	BF497
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-106 SGS-Thomson BF497
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	25 V
Fréquence de transition (fT):	1 GHz
Courant collecteur (Ic max):	50 mA
Puissance dissipée (Ptot):	200 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-106
Type de boîtier:	metallic

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Stock: 1953 pcs

Code commande: BF509

SGS BF509

Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-92

Code commande:	BF509
	Transistor RF PNP bipolaire en silicium, TO-92 SGS BF509
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-35 V
Fréquence de transition (fT):	700 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-30 mA
Puissance dissipée (Ptot):	250 mW
Montage:	thru-hole
Boîtier:	TO-92
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 7327 pcs

Code commande: BF679

Telefunken BF679

Transistor RF PNP bipolaire en silicium, SOT-37 (TO-50)

Code commande:	BF679
	Transistor RF PNP bipolaire en silicium, SOT-37 (TO-50) Telefunken BF679
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-35 V
Fréquence de transition (fT):	880 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-30 mA
Puissance dissipée (Ptot):	160 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-37
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 32 pcs

Code commande: BF721

ON Semiconductor BF721T1G

Transistor bipolaire PNP haute tension, SOT-223

Code commande:	BF721
	Transistor bipolaire PNP haute tension, SOT-223 ON Semiconductor BF721T1G
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	PNP
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	-300 V
Fréquence de transition (fT):	60 MHz
Courant collecteur (Ic max):	-100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	1.2 W
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-223
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 220 pcs

Code commande: BFG10X

Philips BFG10/X

Transistor RF bipolaire NPN, SOT-143

Code commande:	BFG10X
	Transistor RF bipolaire NPN, SOT-143 Philips BFG10/X
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	8 V
Fréquence de transition (fT):	9 GHz
Courant collecteur (Ic max):	250 mA
Puissance dissipée (Ptot):	400 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-143
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 8500 pcs

Code commande: BFG193

Siemens BFG193

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-223

Code commande:	BFG193
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-223 Siemens BFG193
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	12 V
Fréquence de transition (fT):	8 GHz
Courant collecteur (Ic max):	80 mA
Puissance dissipée (Ptot):	600 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-223
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 955 pcs

Code commande: BFG195

Philips BFG195

Transistor RF bipolaire NPN, SOT-103

Code commande:	BFG195
	Transistor RF bipolaire NPN, SOT-103 Philips BFG195
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	10 V
Fréquence de transition (fT):	7.5 GHz
Courant collecteur (Ic max):	100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	700 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-103
Type de boîtier:	plastic

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Stock: 143 pcs

Code commande: BFG196

Infineon BFG196

Transistor RF bipolaire NPN, SOT-223

Code commande:	BFG196
	Transistor RF bipolaire NPN, SOT-223 Infineon BFG196
État:	N (Le produit est neuf)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	12 V
Fréquence de transition (fT):	7.5 GHz
Courant collecteur (Ic max):	100 mA
Puissance dissipée (Ptot):	800 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-223
Type de boîtier:	plastic

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Code commande: BFG520

Philips BFG520

Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-143

Code commande:	BFG520
	Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SOT-143 Philips BFG520
État:	N- (Le produit est neuf mais provient d'une ancienne production)
Polarité:	NPN
Tension collecteur-émetteur (Vce max):	15 V
Fréquence de transition (fT):	9 GHz
Courant collecteur (Ic max):	70 mA
Puissance dissipée (Ptot):	300 mW
Montage:	surface
Boîtier:	SOT-143
Type de boîtier:	plastic

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