BFW30 - Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

Transistor RF NPN bipolaire en silicium

CARACTÉRISTIQUES:

• Fréquence de transition (f _T ) : 1,6 GHz
• Courant de collecteur (I _C ): 50 mA
• Gain de puissance : 21 dB à 200 MHz
• Facteur de bruit : 2,1 dB à 200 MHz
• Dissipation de puissance totale : 250 mW
• Paquet : TO-72 métallique

Ce transistor a été conçu à des fins professionnelles comme amplificateur large bande et pour l'instrumentation, mais aussi pour l'amplification TV haute dynamique.

Pour les applications générales jusqu'à 1 GHz grâce au boîtier métallique et au gain élevé HF et VHF

CLASSE A :

• Bandes de fréquences : I, II, III, IV, V
• Niveau de sortie de classe A : 100 mV, I _C 30 mA