SGS 2N5179 Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

2N5179 - Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-72

2N5179 SGS 2N5179 Transistors - BJT
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Haute dynamique 21 dBG à 200 MHz avec seulement 30 mA I C , largement utilisé comme amplificateur FI, tampon RF et séparateur.

CLASSE A :

  • Bandes de fréquences : I, II, III, IV, V
  • Niveau de sortie de classe A : 100 mV, I C 30 mA

Spécifications

  • NPN
  • 12 V
  • 1.4 GHz
  • 50 mA
  • 300 mW
  • thru-hole
  • TO-72
  • metallic
Datasheet
PDF · 243.7 kB
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Conformité

  • 85412900
  • 0.40 g
  • Non
  • Non disponible