Philips BLT82 Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SO-8

BLT82 - Transistor RF NPN bipolaire en silicium, SO-8

BLT82 Philips BLT82 Transistors - BJT
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Rendement élevé, gain élevé, pour applications de puissance (3 W crête) étage pré-adapté GSM/TDMA jusqu'à 800 - 1000 MHz

Spécifications

  • NPN
  • 10 V
  • 1 A
  • 1.9 W
  • surface
  • SO-8
  • plastic
Datasheet
PDF · 70.4 kB
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Conformité

  • 85412900
  • 0.05 g
  • Non
  • Non disponible