Transistors de nouvelle génération avec technologie SIEGET ® 25 (Siemens Grounded Emitter Transistor), pour des applications comme amplificateur à gain élevé de 4 à 6 GHz et oscillateur jusqu'à 12 GHz grâce à la fréquence de coupure de 25 GHz, ils disposent également d'un boîtier miniature série à faible inductance