2N5109 - Transistor RF NPN bipolaire en silicium, TO-39

2N5109 Central Semiconductor Corp. 2N5109 Transistors - BJT
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Haute dynamique +32 dBm IP3, jusqu'à +40 dBm en configuration quadruple avec faible facteur de bruit 3 dB, mélangeur avec IP3 jusqu'à +40 dBm.

(Remarque : le 2N5109 peut remplacer le BFR95 et le BFW16A)

CLASSE A :

  • Bandes de fréquences : I, II, III
  • Niveau de sortie de classe A : 54 dBmV, I C 50 mA
  • Modulation croisée : > 50 dB

Spécifications

  • NPN
  • 20 V
  • 1.2 GHz
  • 400 mA
  • 1 W
  • thru-hole
  • TO-39
  • metallic
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Conformité

  • MY
  • 85412900
  • 0.40 g
  • Oui
  • SVHC non présent