SGS 2N5179 Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

2N5179 - Transistor de RF NPN bipolar de silicio, TO-72

2N5179 SGS 2N5179 Transistores - BJT
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Alta dinámica de 21 dBG a 200 MHz con solo 30 mA IC , ampliamente utilizado como amplificador de FI, búfer de RF y divisor.

CLASE A:

  • Bandas de frecuencia: I, II, III, IV, V
  • Nivel de salida de clase A: 100 mV, IC 30 mA

Especificaciones

  • NPN
  • 12 V
  • 1.4 GHz
  • 50 mA
  • 300 mW
  • thru-hole
  • TO-72
  • metallic
Datasheet
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Cumplimiento

  • 85412900
  • 0.40 g
  • No
  • No disponible