Philips BFX89 Transistor de RF NPN bipolar, TO-72

BFX89 - Transistor de RF NPN bipolar, TO-72

BFX89 Philips BFX89 Transistores - BJT
N- Datasheet
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Transistor de RF NPN bipolar

PRESUPUESTO:

  • Frecuencia de transición (f T ): 1,2 GHz
  • Corriente de colector (I C ): 50 mA
  • Ganancia de potencia: 22dB a 200 MHz
  • Figura de ruido: 3,3 dB a 200 MHz
  • Disipación de potencia total: 200 mW
  • Paquete: TO-72 metálico

Este transistor es la versión barata del BFY90, fue diseñado para fines profesionales como amplificador de banda ancha y para instrumentación, pero también para amplificación de TV de alta dinámica.

Para aplicaciones de propósito general hasta 1 GHz gracias al paquete metálico y la alta ganancia HF y VHF

Especificaciones

  • NPN
  • 15 V
  • 1.2 GHz
  • 50 mA
  • 200 mW
  • thru-hole
  • TO-72
  • metallic
Datasheet
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Cumplimiento

  • 0.40 g
  • No
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