Transistores de nueva generación con tecnología SIEGET ® 25 (Siemens Grounded Emitter Transistor), para aplicaciones como amplificador de alta ganancia de 4 - 6 GHz y oscilador hasta 12 GHz gracias a la frecuencia de corte de 25 GHz, además cuentan con un encapsulado miniatura en serie de baja inductancia.