BFW30 - Silizium-Bipolar-NPN-HF-Transistor, TO-72

Silizium-Bipolar-NPN-HF-Transistor

SPEZIFIKATIONEN:

• Übergangsfrequenz (f _T ): 1,6 GHz
• Kollektorstrom (I _C ): 50mA
• Leistungsverstärkung: 21 dB bei 200 MHz
• Rauschmaß: 2,1 dB bei 200 MHz
• Gesamtverlustleistung: 250 mW
• Gehäuse: TO-72 metallisch

Dieser Transistor wurde für professionelle Zwecke als Breitbandverstärker und für Instrumentierungen, aber auch für die hochdynamische TV-Verstärkung entwickelt.

Für allgemeine Anwendungen bis zu 1 GHz dank des Metallgehäuses und der hohen HF- und VHF-Verstärkung

KLASSE A:

• Frequenzbänder: I, II, III, IV, V
• Ausgangspegel Klasse A: 100 mV, I _C 30 mA