Philips ASY29 Germanium-Bipolartransistor NPN RF, TO-5

ASY29 - Germanium-Bipolartransistor NPN RF, TO-5

ASY29 Philips ASY29 Transistoren - BJT
N- Datasheet
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Spezifikationen

  • NPN
  • 15 V
  • 20 MHz
  • 200 mA
  • 150 mW
  • thru-hole
  • TO-5
  • metallic
Datasheet
PDF · 69.0 kB
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Konformität

  • 85412900
  • 1.40 g
  • Nein
  • Nicht verfügbar