Transistoren der nächsten Generation mit SIEGET ® 25 (Siemens Grounded Emitter Transistor)-Technologie, für Anwendungen als 4 - 6 GHz High-Gain-Verstärker und bis zu 12 GHz Oszillator dank der Grenzfrequenz von 25 GHz, sie verfügen außerdem über ein Miniaturgehäuse mit niedriger Induktivität