GaAs-FET basso rumore con associata alta dinamicaè  consigliato per applicazioni a basso rumore fino 3 GHz e per usi generali anche fino 5 GHz, infatti la figura di rumore è molto bassa con una corrente di ben 70 mA, questo siginifica, ad esempio a 1 GHz, una NF di 0,45 dB con associata una potenza P1dB di ben +19 dBm.