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Transistor - BJT

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Polarità
NPN (-)
PNP (-)
Tensione collettore-emettitore (Vce max)
-300 V (-)
-150 V (-)
-80 V (-)
-65 V (-)
-60 V (-)
-45 V (-)
-40 V (-)
-35 V (-)
-25 V (-)
-18 V (-)
-15 V (-)
-13 V (-)
-12 V (-)
-10 V (-)
2.5 V (-)
4.5 V (-)
5 V (-)
5.5 V (-)
6 V (-)
8 V (-)
10 V (-)
12 V (-)
15 V (-)
16 V (-)
17 V (-)
18 V (-)
20 V (-)
25 V (-)
27 V (-)
30 V (-)
35 V (-)
40 V (-)
45 V (-)
50 V (-)
60 V (-)
160 V (-)
300 V (-)
Frequenza di transizione (fT)
20 MHz (-)
50 MHz (-)
60 MHz (-)
80 MHz (-)
100 MHz (-)
130 MHz (-)
150 MHz (-)
175 MHz (-)
200 MHz (-)
220 MHz (-)
250 MHz (-)
300 MHz (-)
400 MHz (-)
450 MHz (-)
500 MHz (-)
550 MHz (-)
650 MHz (-)
700 MHz (-)
750 MHz (-)
880 MHz (-)
900 MHz (-)
1 GHz (-)
1.2 GHz (-)
1.25 GHz (-)
1.4 GHz (-)
1.5 GHz (-)
1.6 GHz (-)
2 GHz (-)
2.3 GHz (-)
3 GHz (-)
3.5 GHz (-)
3.8 GHz (-)
4 GHz (-)
4.5 GHz (-)
4.7 GHz (-)
5 GHz (-)
5.2 GHz (-)
5.4 GHz (-)
5.5 GHz (-)
5.8 GHz (-)
6 GHz (-)
6.5 GHz (-)
7 GHz (-)
7.5 GHz (-)
8 GHz (-)
9 GHz (-)
10 GHz (-)
12 GHz (-)
24 GHz (-)
25 GHz (-)
45 GHz (-)
Crrente al collettore (Ic max)
-5 A (-)
-1 A (-)
-600 mA (-)
-200 mA (-)
-100 mA (-)
-50 mA (-)
-35 mA (-)
-30 mA (-)
-25 mA (-)
-20 mA (-)
-10 mA (-)
6.5 mA (-)
12 mA (-)
20 mA (-)
25 mA (-)
30 mA (-)
32 mA (-)
35 mA (-)
36 mA (-)
40 mA (-)
50 mA (-)
60 mA (-)
65 mA (-)
70 mA (-)
75 mA (-)
80 mA (-)
100 mA (-)
120 mA (-)
150 mA (-)
200 mA (-)
220 mA (-)
250 mA (-)
300 mA (-)
400 mA (-)
500 mA (-)
600 mA (-)
800 mA (-)
1 A (-)
1.1 A (-)
5 A (-)
Potenza dissipata (Ptot)
30 mW (-)
55 mW (-)
60 mW (-)
100 mW (-)
135 mW (-)
136 mW (-)
145 mW (-)
150 mW (-)
160 mW (-)
162 mW (-)
175 mW (-)
200 mW (-)
220 mW (-)
225 mW (-)
230 mW (-)
250 mW (-)
260 mW (-)
280 mW (-)
300 mW (-)
330 mW (-)
350 mW (-)
360 mW (-)
400 mW (-)
450 mW (-)
500 mW (-)
580 mW (-)
600 mW (-)
625 mW (-)
650 mW (-)
700 mW (-)
800 mW (-)
870 mW (-)
1 W (-)
1.1 W (-)
1.2 W (-)
1.25 W (-)
1.3 W (-)
1.4 W (-)
1.9 W (-)
2 W (-)
3 W (-)
3.5 W (-)
4 W (-)
5.5 W (-)
17.5 W (-)
Montaggio
a vite (-)
flangia (-)
foro passante (-)
superficiale (-)
Contenitore
100 mil (-)
2-4E1A (-)
230 mil BeO (-)
70 mil (-)
Cerec-X (-)
Cerex-X (-)
HPAC-100 (-)
HPAC-100B (-)
HPAC-100N (-)
HPAC-200 (-)
HPAC-200GB/GT (-)
Macro-X (-)
Micro-X (-)
SO-8 (-)
SOT-103 (-)
SOT-143 (-)
SOT-143R (-)
SOT-173 (-)
SOT-223 (-)
SOT-23 (-)
SOT-323 (-)
SOT-343 (-)
SOT-343R (-)
SOT-37 (-)
SOT-48 (-)
SOT-89 (-)
TO-106 (-)
TO-18 (-)
TO-39 (-)
TO-5 (-)
TO-50 (-)
TO-72 (-)
TO-92 (-)
TO-92L (-)
86 (-)
Tipo contenitore
ceramico (-)
metallico (-)
plastico (-)
Prodotti trovati:  
Informazioni aggiuntive
Pagine
1
2
3
4
5
6
7
Codice d'ordine MRF536
Motorola MRF536
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Motorola MRF536

Transistor RF bipolare PNP al silicio, contenitore Macro-X

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Macro-X
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,50
5+ pz:1,40
10+ pz:1,35
30+ pz:1,30
Disponibilità: 299 pz
compra

Codice d'ordine MRF559
Motorola MRF559
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Motorola MRF559

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-103

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Frequenza di transizione (fT): 3 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 150 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-103
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:3,40
Disponibilità: 18 pz
compra

Codice d'ordine MRF5711LT1
Motorola MRF5711LT1
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Motorola MRF5711LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 580 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
5+ pz:0,85
10+ pz:0,80
30+ pz:0,75
100+ pz:0,70
300+ pz:0,65
Disponibilità: 1789 pz
compra

Codice d'ordine MRF9511L
Motorola MRF9511L
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Motorola MRF9511L

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,95
5+ pz:0,90
10+ pz:0,85
30+ pz:0,80
100+ pz:0,75
Disponibilità: 390 pz
compra

Codice d'ordine NE02135
NEC NE02135 (2SC2149)
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NEC NE02135 (2SC2149)

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore micro-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 4.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 70 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Micro-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,70
Disponibilità: 0 pz
compra

Codice d'ordine NE243287
NEC NE243287
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NEC NE243287

Transistor bipolare NPN

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Crrente al collettore (Ic max): 220 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 5.5 W
  • Montaggio: superficiale
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:15,00
Disponibilità: 12 pz
compra

Codice d'ordine NE85630
NEC NE85630 (2SC4226)
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NEC NE85630 (2SC4226)

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-323

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 150 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-323
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,50
Disponibilità: 39 pz
compra

Codice d'ordine NE85633
NEC NE85633 (2SC3356)
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
NEC NE85633 (2SC3356)

Transistor RF bipolare NPN alsilicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
5+ pz:0,55
10+ pz:0,49
30+ pz:0,43
100+ pz:0,37
300+ pz:0,31
1000+ pz:0,25
Disponibilità: 10980 pz
compra

Codice d'ordine NE85635
NEC NE85635 (2SC3603)
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NEC NE85635 (2SC3603)

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore micro-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 580 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Micro-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,50
10+ pz:4,25
Disponibilità: 61 pz
compra

Codice d'ordine NEX2302-65
NEC NEX2302-65
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NEC NEX2302-65

Transistor bipolare NPN

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Crrente al collettore (Ic max): 1.1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 17.5 W
  • Montaggio: flangia
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 2.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:15,00
Disponibilità: 10 pz
compra

Pagine
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