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Transistor - BJT

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Produttore
Polarità
Tensione collettore-emettitore (Vce max)
Frequenza di transizione (fT)
Corrente al collettore (Ic max)
Potenza dissipata (Ptot)
Montaggio
Contenitore
Tipo contenitore
Prodotti trovati:  
Informazioni aggiuntive
Pagine
1
2
3
4
5
6
7
Codice d'ordine BFS20
Philips BFS20
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Philips BFS20

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 450 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,45
5+ pz:0,40
10+ pz:0,35
30+ pz:0,30
100+ pz:0,25
Disponibilità: 3000 pz
compra

Codice d'ordine BFT25
Philips BFT25
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Philips BFT25

Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 2.3 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 6.5 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 30 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,80
5+ pz:0,70
10+ pz:0,60
30+ pz:0,50
100+ pz:0,40
Disponibilità: 2200 pz
compra

Codice d'ordine BFT92
Siemens BFT92
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Siemens BFT92

Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-23

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
Disponibilità: 1315 pz
compra

Codice d'ordine BFW44
SGS BFW44
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SGS BFW44

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-39

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -150 V
  • Frequenza di transizione (fT): 50 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 700 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-39
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,00
10+ pz:0,90
Disponibilità: 150 pz
compra

Codice d'ordine BFW92
Philips BFW92
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Philips BFW92

Transistor RF bipolare NPN, SOT-37

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 1.6 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-37
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.25 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
5+ pz:0,55
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
Disponibilità: 788 pz
compra

Codice d'ordine BFW92A
Telefunken BFW92A
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Telefunken BFW92A

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-37

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 3.5 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-37
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.25 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,65
10+ pz:0,60
30+ pz:0,50
100+ pz:0,45
Disponibilità: 1691 pz
compra

Codice d'ordine BFX34
BFX34
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BFX34

Transistor bipolare NPN al silicio, TO-39

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 60 V
  • Frequenza di transizione (fT): 100 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 5 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 870 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-39
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,15
10+ pz:1,00
Disponibilità: 231 pz
compra

Codice d'ordine BFY57
SGS BFY57
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SGS BFY57

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-39

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 125 V
  • Frequenza di transizione (fT): 40 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 5 W
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-39
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,90
10+ pz:2,60
Disponibilità: 24 pz
compra

Codice d'ordine BFY90
BFY90
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Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 1.2 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-72
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.30 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,50
5+ pz:1,45
10+ pz:1,40
30+ pz:1,30
Disponibilità: 260 pz
compra

Codice d'ordine BLT82
Philips BLT82
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Philips BLT82

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SO-8

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Corrente al collettore (Ic max): 1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.9 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SO-8
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
5+ pz:0,85
10+ pz:0,80
30+ pz:0,75
Disponibilità: 396 pz
compra

Codice d'ordine BSR12
Philips BSR12
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Philips BSR12

Transistor RF bipolare PNP, SOT-23

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 1.5 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,50
5+ pz:0,45
10+ pz:0,40
Disponibilità: 70 pz
compra

Codice d'ordine BSR14
Philips BSR14
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Philips BSR14

Transistor RF bipolare NPN, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 40 V
  • Frequenza di transizione (fT): 300 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 800 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,35
5+ pz:0,30
10+ pz:0,25
30+ pz:0,20
100+ pz:0,15
Disponibilità: 2580 pz
compra

Codice d'ordine BSR16
Philips BSR16
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Philips BSR16

Transistor RF bipolare PNP, SOT-23

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -60 V
  • Frequenza di transizione (fT): 200 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -600 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,55
5+ pz:0,50
10+ pz:0,45
Disponibilità: 200 pz
compra

Codice d'ordine BSR31
Philips BSR31
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Philips BSR31

Transistor RF bipolare PNP, SOT-89

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -60 V
  • Frequenza di transizione (fT): 100 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.4 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
5+ pz:0,55
10+ pz:0,50
Disponibilità: 123 pz
compra

Codice d'ordine BSS44
STMicroelectronics BSS44
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STMicroelectronics BSS44

Transistor RF bipolare PNP, TO-39

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -60 V
  • Frequenza di transizione (fT): 80 MHz
  • Corrente al collettore (Ic max): -5 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 870 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-39
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,70
Disponibilità: 100 pz
compra

Codice d'ordine HBFP-0420
Agilent Technologies HBFP-0420
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Agilent Technologies HBFP-0420

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 4.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 25 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 36 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 162 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
300+ pz:0,20
1000+ pz:0,15
Disponibilità: 7467 pz
compra

Codice d'ordine HSMX-3655
Hewlett-Packard HSMX-3655
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Hewlett-Packard HSMX-3655

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 65 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
5+ pz:0,55
10+ pz:0,45
30+ pz:0,40
100+ pz:0,35
300+ pz:0,30
Disponibilità: 2500 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-3102
Agilent Technologies HXTR-3102
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Agilent Technologies HXTR-3102

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100B

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 25 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 700 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: HPAC-100B
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:7,80
Disponibilità: 15 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-3645
Hewlett-Packard HXTR-3645
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Hewlett-Packard HXTR-3645

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 18 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 65 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: HPAC-100N
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,30
10+ pz:8,80
Disponibilità: 45 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-4103
Hewlett-Packard HXTR-4103
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Hewlett-Packard HXTR-4103

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200GB/GT

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 27 V
  • Frequenza di transizione (fT): 4 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 250 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 4 W
  • Montaggio: flangia
  • Contenitore: HPAC-200GB/GT
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 2.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:13,80
5+ pz:13,00
10+ pz:12,40
30+ pz:11,40
Disponibilità: 76 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-5101
Hewlett-Packard HXTR-5101
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Hewlett-Packard HXTR-5101

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-100

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 27 V
  • Corrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: HPAC-100
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,50
5+ pz:8,00
10+ pz:7,60
30+ pz:7,30
Disponibilità: 85 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-5103
Hewlett-Packard HXTR-5103

Transistor RF bipolare NPN, contenitore HPAC-200

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 27 V
  • Corrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.4 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: HPAC-200
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,50
5+ pz:9,00
10+ pz:8,60
Disponibilità: 36 pz
compra

Codice d'ordine HXTR-6103
Hewlett-Packard HXTR-6103 (2N6618)
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Hewlett-Packard HXTR-6103 (2N6618)

Transistor RF bipolare NPN, contenitore 100 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Corrente al collettore (Ic max): 20 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: HPAC-100
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,00
Disponibilità: 4 pz
compra

Codice d'ordine MMBR901LT1
Motorola MMBR901LT1
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Motorola MMBR901LT1

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 3.8 GHz
  • Corrente al collettore (Ic max): 30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,75
5+ pz:0,70
10+ pz:0,65
30+ pz:0,60
100+ pz:0,55
Disponibilità: 1000 pz
compra

Pagine
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