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Transistor - BJT

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Polarità
NPN (-)
PNP (-)
Tensione collettore-emettitore (Vce max)
-300 V (-)
-150 V (-)
-80 V (-)
-65 V (-)
-60 V (-)
-45 V (-)
-40 V (-)
-35 V (-)
-25 V (-)
-18 V (-)
-15 V (-)
-13 V (-)
-12 V (-)
-10 V (-)
2.5 V (-)
4.5 V (-)
5 V (-)
5.5 V (-)
6 V (-)
8 V (-)
10 V (-)
12 V (-)
15 V (-)
16 V (-)
17 V (-)
18 V (-)
20 V (-)
25 V (-)
27 V (-)
30 V (-)
35 V (-)
40 V (-)
45 V (-)
50 V (-)
60 V (-)
160 V (-)
300 V (-)
Frequenza di transizione (fT)
20 MHz (-)
50 MHz (-)
60 MHz (-)
80 MHz (-)
100 MHz (-)
130 MHz (-)
150 MHz (-)
175 MHz (-)
200 MHz (-)
220 MHz (-)
250 MHz (-)
300 MHz (-)
400 MHz (-)
450 MHz (-)
500 MHz (-)
550 MHz (-)
650 MHz (-)
700 MHz (-)
750 MHz (-)
880 MHz (-)
900 MHz (-)
1 GHz (-)
1.2 GHz (-)
1.25 GHz (-)
1.4 GHz (-)
1.5 GHz (-)
1.6 GHz (-)
2 GHz (-)
2.3 GHz (-)
3 GHz (-)
3.5 GHz (-)
3.8 GHz (-)
4 GHz (-)
4.5 GHz (-)
4.7 GHz (-)
5 GHz (-)
5.2 GHz (-)
5.4 GHz (-)
5.5 GHz (-)
5.8 GHz (-)
6 GHz (-)
6.5 GHz (-)
7 GHz (-)
7.5 GHz (-)
8 GHz (-)
9 GHz (-)
10 GHz (-)
12 GHz (-)
24 GHz (-)
25 GHz (-)
45 GHz (-)
Crrente al collettore (Ic max)
-5 A (-)
-1 A (-)
-600 mA (-)
-200 mA (-)
-100 mA (-)
-50 mA (-)
-35 mA (-)
-30 mA (-)
-25 mA (-)
-20 mA (-)
-10 mA (-)
6.5 mA (-)
12 mA (-)
20 mA (-)
25 mA (-)
30 mA (-)
32 mA (-)
35 mA (-)
36 mA (-)
40 mA (-)
50 mA (-)
60 mA (-)
65 mA (-)
70 mA (-)
75 mA (-)
80 mA (-)
100 mA (-)
120 mA (-)
150 mA (-)
200 mA (-)
220 mA (-)
250 mA (-)
300 mA (-)
400 mA (-)
500 mA (-)
600 mA (-)
800 mA (-)
1 A (-)
1.1 A (-)
5 A (-)
Potenza dissipata (Ptot)
30 mW (-)
55 mW (-)
60 mW (-)
100 mW (-)
135 mW (-)
136 mW (-)
145 mW (-)
150 mW (-)
160 mW (-)
162 mW (-)
175 mW (-)
200 mW (-)
220 mW (-)
225 mW (-)
230 mW (-)
250 mW (-)
260 mW (-)
280 mW (-)
300 mW (-)
330 mW (-)
350 mW (-)
360 mW (-)
400 mW (-)
450 mW (-)
500 mW (-)
580 mW (-)
600 mW (-)
625 mW (-)
650 mW (-)
700 mW (-)
800 mW (-)
870 mW (-)
1 W (-)
1.1 W (-)
1.2 W (-)
1.25 W (-)
1.3 W (-)
1.4 W (-)
1.9 W (-)
2 W (-)
3 W (-)
3.5 W (-)
4 W (-)
5.5 W (-)
17.5 W (-)
Montaggio
a vite (-)
flangia (-)
foro passante (-)
superficiale (-)
Contenitore
100 mil (-)
2-4E1A (-)
230 mil BeO (-)
70 mil (-)
Cerec-X (-)
Cerex-X (-)
HPAC-100 (-)
HPAC-100B (-)
HPAC-100N (-)
HPAC-200 (-)
HPAC-200GB/GT (-)
Macro-X (-)
Micro-X (-)
SO-8 (-)
SOT-103 (-)
SOT-143 (-)
SOT-143R (-)
SOT-173 (-)
SOT-223 (-)
SOT-23 (-)
SOT-323 (-)
SOT-343 (-)
SOT-343R (-)
SOT-37 (-)
SOT-48 (-)
SOT-89 (-)
TO-106 (-)
TO-18 (-)
TO-39 (-)
TO-5 (-)
TO-50 (-)
TO-72 (-)
TO-92 (-)
TO-92L (-)
86 (-)
Tipo contenitore
ceramico (-)
metallico (-)
plastico (-)
Prodotti trovati:  
Informazioni aggiuntive
Pagine
1
2
3
4
5
6
7
Codice d'ordine BFP181
Siemens BFP181
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Siemens BFP181

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 20 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 175 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
5+ pz:0,80
10+ pz:0,70
30+ pz:0,60
100+ pz:0,50
Disponibilità: 1184 pz
compra

Codice d'ordine BFP182
Infineon BFP182
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Infineon BFP182

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,80
5+ pz:0,70
10+ pz:0,60
30+ pz:0,50
100+ pz:0,40
300+ pz:0,30
Disponibilità: 3000 pz
compra

Codice d'ordine BFP183
Siemens BFP183
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Siemens BFP183

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 65 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
300+ pz:0,20
1000+ pz:0,15
Disponibilità: 14950 pz
compra

Codice d'ordine BFP193
Siemens BFP193
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Siemens BFP193

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 580 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
300+ pz:0,20
1000+ pz:0,15
Disponibilità: 14990 pz
compra

Codice d'ordine BFP196
Siemens BFP196
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Siemens BFP196

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 700 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,60
5+ pz:1,45
10+ pz:1,30
30+ pz:1,15
100+ pz:1,05
Disponibilità: 731 pz
compra

Codice d'ordine BFP405
Siemens BFP405
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Siemens BFP405

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 4.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 25 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 12 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 55 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,00
10+ pz:0,90
Disponibilità: 325 pz
compra

Codice d'ordine BFP420
Siemens BFP420
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Siemens BFP420

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 4.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 25 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 160 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
300+ pz:0,20
1000+ pz:0,15
Disponibilità: 37981 pz
compra

Codice d'ordine BFP450
Siemens BFP450
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Siemens BFP450

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 4.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 24 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 450 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,50
Disponibilità: 37 pz
compra

Codice d'ordine BFP520
Infineon BFP520
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Infineon BFP520

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-343

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 2.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 45 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 40 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 100 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,00
5+ pz:0,90
10+ pz:0,80
30+ pz:0,70
100+ pz:0,60
Disponibilità: 2188 pz
compra

Codice d'ordine BFP91A
Philips BFP91A
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Philips BFP91A

Transistor RF bipolare NPN, SOT-173

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-173
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
10+ pz:1,25
Disponibilità: 480 pz
compra

Codice d'ordine BFQ17
Philips BFQ17
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Philips BFQ17

Transistor RF bipolare NPN, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 25 V
  • Frequenza di transizione (fT): 1.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 150 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
5+ pz:1,15
10+ pz:1,10
30+ pz:1,00
100+ pz:0,90
Disponibilità: 980 pz
compra

Codice d'ordine BFQ18A
Philips BFQ18A
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Philips BFQ18A

Transistor RF bipolare NPN, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 18 V
  • Frequenza di transizione (fT): 4 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 150 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,90
10+ pz:2,70
30+ pz:2,55
Disponibilità: 168 pz
compra

Codice d'ordine BFQ19
Philips BFQ19
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Philips BFQ19

Transistor RF bipolare NPN, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,10
10+ pz:0,95
Disponibilità: 138 pz
compra

Codice d'ordine BFQ23
Philips BFQ23
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Philips BFQ23

Transistor RF bipolare PNP, SOT-37

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-37
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
5+ pz:1,60
10+ pz:1,40
30+ pz:1,20
Disponibilità: 137 pz
compra

Codice d'ordine BFQ29P
Siemens BFQ29P
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Siemens BFQ29P

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 280 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
5+ pz:1,10
10+ pz:1,00
30+ pz:0,90
100+ pz:0,80
Disponibilità: 243 pz
compra

Codice d'ordine BFQ540
Philips BFQ540
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Philips BFQ540

Transistor RF bipolare NPN, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 120 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
5+ pz:1,10
10+ pz:1,00
Disponibilità: 165 pz
compra

Codice d'ordine BFQ57
Siemens BFQ57
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Siemens BFQ57

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 450 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 100 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:6,50
Disponibilità: 65 pz
compra

Codice d'ordine BFQ58
Siemens BFQ58
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Siemens BFQ58

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 450 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 100 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,50
Disponibilità: 3 pz
compra

Codice d'ordine BFQ66
Philips BFQ66
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Philips BFQ66

Transistor RF bipolare NPN, SOT-173

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 350 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-173
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:3,70
Disponibilità: 100 pz
compra

Codice d'ordine BFQ70
Siemens BFQ70
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Siemens BFQ70

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerex-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Cerex-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,60
5+ pz:1,45
10+ pz:1,30
30+ pz:1,15
100+ pz:1,00
Disponibilità: 2791 pz
compra

Codice d'ordine BFQ71
Siemens BFQ71
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Siemens BFQ71

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5.2 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Cerec-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
5+ pz:1,65
10+ pz:1,50
30+ pz:1,35
Disponibilità: 400 pz
compra

Codice d'ordine BFQ72
Siemens BFQ72
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Siemens BFQ72

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 4.7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 350 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Cerec-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,60
5+ pz:1,45
10+ pz:1,30
30+ pz:1,15
100+ pz:1,00
Disponibilità: 2490 pz
compra

Codice d'ordine BFQ73S
Siemens BFQ73S
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Siemens BFQ73S

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5.4 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Cerec-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,70
5+ pz:1,55
10+ pz:1,40
30+ pz:1,25
100+ pz:1,10
Disponibilità: 2000 pz
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Codice d'ordine BFQ74
Siemens BFQ74
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Siemens BFQ74

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore Cerec-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 16 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Cerec-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
5+ pz:1,65
10+ pz:1,50
30+ pz:1,35
Disponibilità: 700 pz
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