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Transistor - BJT

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Polarità
NPN (-)
PNP (-)
Tensione collettore-emettitore (Vce max)
-300 V (-)
-150 V (-)
-80 V (-)
-65 V (-)
-60 V (-)
-45 V (-)
-40 V (-)
-35 V (-)
-25 V (-)
-18 V (-)
-15 V (-)
-13 V (-)
-12 V (-)
-10 V (-)
2.5 V (-)
4.5 V (-)
5 V (-)
5.5 V (-)
6 V (-)
8 V (-)
10 V (-)
12 V (-)
15 V (-)
16 V (-)
17 V (-)
18 V (-)
20 V (-)
25 V (-)
27 V (-)
30 V (-)
35 V (-)
40 V (-)
45 V (-)
50 V (-)
60 V (-)
160 V (-)
250 V (-)
300 V (-)
Frequenza di transizione (fT)
20 MHz (-)
50 MHz (-)
60 MHz (-)
80 MHz (-)
100 MHz (-)
130 MHz (-)
150 MHz (-)
175 MHz (-)
200 MHz (-)
220 MHz (-)
250 MHz (-)
300 MHz (-)
400 MHz (-)
450 MHz (-)
500 MHz (-)
550 MHz (-)
650 MHz (-)
700 MHz (-)
750 MHz (-)
880 MHz (-)
900 MHz (-)
1 GHz (-)
1.2 GHz (-)
1.25 GHz (-)
1.4 GHz (-)
1.5 GHz (-)
1.6 GHz (-)
2 GHz (-)
2.3 GHz (-)
3 GHz (-)
3.5 GHz (-)
3.8 GHz (-)
4 GHz (-)
4.5 GHz (-)
4.7 GHz (-)
5 GHz (-)
5.2 GHz (-)
5.4 GHz (-)
5.5 GHz (-)
5.8 GHz (-)
6 GHz (-)
6.5 GHz (-)
7 GHz (-)
7.5 GHz (-)
8 GHz (-)
9 GHz (-)
10 GHz (-)
12 GHz (-)
24 GHz (-)
25 GHz (-)
45 GHz (-)
Crrente al collettore (Ic max)
-5 A (-)
-1 A (-)
-600 mA (-)
-200 mA (-)
-100 mA (-)
-50 mA (-)
-35 mA (-)
-30 mA (-)
-25 mA (-)
-20 mA (-)
-10 mA (-)
6.5 mA (-)
12 mA (-)
20 mA (-)
25 mA (-)
30 mA (-)
32 mA (-)
35 mA (-)
36 mA (-)
40 mA (-)
50 mA (-)
60 mA (-)
65 mA (-)
70 mA (-)
75 mA (-)
80 mA (-)
100 mA (-)
120 mA (-)
150 mA (-)
200 mA (-)
220 mA (-)
250 mA (-)
300 mA (-)
400 mA (-)
500 mA (-)
600 mA (-)
800 mA (-)
1 A (-)
1.1 A (-)
5 A (-)
Potenza dissipata (Ptot)
30 mW (-)
55 mW (-)
60 mW (-)
100 mW (-)
135 mW (-)
136 mW (-)
145 mW (-)
150 mW (-)
160 mW (-)
162 mW (-)
175 mW (-)
200 mW (-)
220 mW (-)
225 mW (-)
230 mW (-)
250 mW (-)
260 mW (-)
280 mW (-)
300 mW (-)
330 mW (-)
350 mW (-)
360 mW (-)
400 mW (-)
450 mW (-)
500 mW (-)
580 mW (-)
600 mW (-)
625 mW (-)
650 mW (-)
700 mW (-)
800 mW (-)
830 mW (-)
870 mW (-)
1 W (-)
1.1 W (-)
1.2 W (-)
1.25 W (-)
1.3 W (-)
1.4 W (-)
1.9 W (-)
2 W (-)
3 W (-)
3.5 W (-)
4 W (-)
5.5 W (-)
17.5 W (-)
Montaggio
a vite (-)
flangia (-)
foro passante (-)
superficiale (-)
Contenitore
100 mil (-)
2-4E1A (-)
230 mil BeO (-)
70 mil (-)
Cerec-X (-)
Cerex-X (-)
HPAC-100 (-)
HPAC-100B (-)
HPAC-100N (-)
HPAC-200 (-)
HPAC-200GB/GT (-)
Macro-X (-)
Micro-X (-)
SO-8 (-)
SOT-103 (-)
SOT-143 (-)
SOT-143R (-)
SOT-173 (-)
SOT-223 (-)
SOT-23 (-)
SOT-323 (-)
SOT-343 (-)
SOT-343R (-)
SOT-37 (-)
SOT-48 (-)
SOT-89 (-)
TO-106 (-)
TO-18 (-)
TO-39 (-)
TO-5 (-)
TO-50 (-)
TO-72 (-)
TO-92 (-)
TO-92L (-)
86 (-)
Tipo contenitore
ceramico (-)
metallico (-)
plastico (-)
Prodotti trovati:  
Informazioni aggiuntive
Pagine
1
2
3
4
5
6
7
Codice d'ordine BF422
Motorola BF422
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Motorola BF422

Transistor bipolare NPN al silicio, TO-92

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 250 V
  • Frequenza di transizione (fT): 60 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 830 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-92
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
10+ pz:0,80
30+ pz:0,70
100+ pz:0,60
250+ pz:0,50
500+ pz:0,40
Disponibilità: 1200 pz
compra

Codice d'ordine BF497
SGS-Thomson BF497
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SGS-Thomson BF497

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-106

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 25 V
  • Frequenza di transizione (fT): 1 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-106
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:5 pz
Multiplo:1 pz
5+ pz:0,20
10+ pz:0,18
30+ pz:0,16
100+ pz:0,14
Disponibilità: 2180 pz
compra

Codice d'ordine BF620
Philips BF620
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Philips BF620

Transistor bipolare NPN ad alta tensione, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 300 V
  • Frequenza di transizione (fT): 60 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.25 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
10+ pz:0,65
30+ pz:0,60
100+ pz:0,55
Disponibilità: 900 pz
compra

Codice d'ordine BF679
Telefunken BF679
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Telefunken BF679

Transistor RF bipolare PNP al silicio, SOT-37 (TO-50)

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -35 V
  • Frequenza di transizione (fT): 880 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 160 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-37
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
Disponibilità: 47 pz
compra

Codice d'ordine BF720
Philips BF720
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Philips BF720

Transistor bipolare NPN ad alta tensione, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 300 V
  • Frequenza di transizione (fT): 60 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,55
5+ pz:0,50
10+ pz:0,45
30+ pz:0,40
100+ pz:0,35
Disponibilità: 582 pz
compra

Codice d'ordine BF721
Philips BF721
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Philips BF721

Transistor bipolare PNP ad alta tensione, SOT-223

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -300 V
  • Frequenza di transizione (fT): 60 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,55
5+ pz:0,50
10+ pz:0,45
30+ pz:0,40
100+ pz:0,35
Disponibilità: 481 pz
compra

Codice d'ordine BFG10X
Philips BFG10/X
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Philips BFG10/X

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 8 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 250 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,55
5+ pz:0,50
10+ pz:0,42
30+ pz:0,35
100+ pz:0,28
300+ pz:0,22
1000+ pz:0,18
Disponibilità: 8947 pz
compra

Codice d'ordine BFG135
Philips BFG135
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Philips BFG135

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 150 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
10+ pz:1,60
30+ pz:1,40
Disponibilità: 654 pz
compra

Codice d'ordine BFG193
Siemens BFG193
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Siemens BFG193

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
5+ pz:1,10
10+ pz:1,00
30+ pz:0,90
100+ pz:0,80
Disponibilità: 1000 pz
compra

Codice d'ordine BFG195
Philips BFG195
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Philips BFG195

Transistor RF bipolare NPN, SOT-103

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 700 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-103
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,50
10+ pz:2,25
Disponibilità: 190 pz
compra

Codice d'ordine BFG196
Infineon BFG196
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Infineon BFG196

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 800 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,50
5+ pz:1,40
10+ pz:1,25
30+ pz:1,10
100+ pz:1,00
Disponibilità: 945 pz
compra

Codice d'ordine BFG198
Philips BFG198
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Philips BFG198

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,90
10+ pz:1,70
Disponibilità: 200 pz
compra

Codice d'ordine BFG235
Siemens BFG235
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Siemens BFG235

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5.5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 300 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,20
10+ pz:1,95
30+ pz:1,80
100+ pz:1,65
Disponibilità: 317 pz
compra

Codice d'ordine BFG35
Philips BFG35
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Philips BFG35

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 18 V
  • Frequenza di transizione (fT): 4 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 150 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 1 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
5+ pz:1,10
10+ pz:1,00
30+ pz:0,90
100+ pz:0,80
Disponibilità: 989 pz
compra

Codice d'ordine BFG425W
Philips BFG425W
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Philips BFG425W

Transistor RF bipolare NPN, SOT-343R

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 4.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 25 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 135 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-343R
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,30
10+ pz:1,15
Disponibilità: 173 pz
compra

Codice d'ordine BFG520
Philips BFG520
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Philips BFG520

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 70 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,80
5+ pz:0,70
10+ pz:0,60
30+ pz:0,50
100+ pz:0,40
300+ pz:0,30
Disponibilità: 4730 pz
compra

Codice d'ordine BFG540
Philips BFG540
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Philips BFG540

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 120 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,00
Disponibilità: 0 pz
compra

Codice d'ordine BFG540X
Philips BFG540/X
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Philips BFG540/X

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143R

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 120 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143R
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,70
5+ pz:0,60
10+ pz:0,50
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
300+ pz:0,20
Disponibilità: 6000 pz
compra

Codice d'ordine BFG541
Philips BFG541
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Philips BFG541

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 9 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 120 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 650 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,30
10+ pz:1,15
Disponibilità: 178 pz
compra

Codice d'ordine BFG591
Philips BFG591
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Philips BFG591

Transistor RF bipolare NPN, SOT-223

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 200 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 2 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-223
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,40
10+ pz:1,25
Disponibilità: 702 pz
compra

Codice d'ordine BFG67
Philips BFG67
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Philips BFG67

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 10 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
5+ pz:0,50
10+ pz:0,45
30+ pz:0,37
100+ pz:0,30
Disponibilità: 1200 pz
compra

Codice d'ordine BFG92A
Philips BFG92A
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Philips BFG92A

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 25 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,80
5+ pz:0,70
10+ pz:0,60
30+ pz:0,50
100+ pz:0,40
Disponibilità: 1996 pz
compra

Codice d'ordine BFG93A
Philips BFG93A
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Philips BFG93A

Transistor RF bipolare NPN, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 35 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,80
5+ pz:0,75
10+ pz:0,65
30+ pz:0,50
100+ pz:0,40
Disponibilità: 1466 pz
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Codice d'ordine BFG96
Philips BFG96
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Philips BFG96

Transistor RF bipolare NPN, SOT-103

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 15 V
  • Frequenza di transizione (fT): 5 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 75 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 700 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-103
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,80
10+ pz:1,65
Disponibilità: 280 pz
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