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Transistor - BJT

Filtri parametrici mostra / nascondi
Polarità
NPN (-)
PNP (-)
Tensione collettore-emettitore (Vce max)
-300 V (-)
-150 V (-)
-80 V (-)
-65 V (-)
-60 V (-)
-45 V (-)
-40 V (-)
-35 V (-)
-25 V (-)
-18 V (-)
-15 V (-)
-13 V (-)
-12 V (-)
-10 V (-)
2.5 V (-)
4.5 V (-)
5 V (-)
5.5 V (-)
6 V (-)
8 V (-)
10 V (-)
12 V (-)
15 V (-)
16 V (-)
17 V (-)
18 V (-)
20 V (-)
25 V (-)
27 V (-)
30 V (-)
35 V (-)
40 V (-)
45 V (-)
50 V (-)
60 V (-)
160 V (-)
300 V (-)
Frequenza di transizione (fT)
20 MHz (-)
50 MHz (-)
60 MHz (-)
80 MHz (-)
100 MHz (-)
130 MHz (-)
150 MHz (-)
175 MHz (-)
200 MHz (-)
220 MHz (-)
250 MHz (-)
300 MHz (-)
400 MHz (-)
450 MHz (-)
500 MHz (-)
550 MHz (-)
650 MHz (-)
700 MHz (-)
750 MHz (-)
880 MHz (-)
900 MHz (-)
1 GHz (-)
1.2 GHz (-)
1.25 GHz (-)
1.4 GHz (-)
1.5 GHz (-)
1.6 GHz (-)
2 GHz (-)
2.3 GHz (-)
3 GHz (-)
3.5 GHz (-)
3.8 GHz (-)
4 GHz (-)
4.5 GHz (-)
4.7 GHz (-)
5 GHz (-)
5.2 GHz (-)
5.4 GHz (-)
5.5 GHz (-)
5.8 GHz (-)
6 GHz (-)
6.5 GHz (-)
7 GHz (-)
7.5 GHz (-)
8 GHz (-)
9 GHz (-)
10 GHz (-)
12 GHz (-)
24 GHz (-)
25 GHz (-)
45 GHz (-)
Crrente al collettore (Ic max)
-5 A (-)
-1 A (-)
-600 mA (-)
-200 mA (-)
-100 mA (-)
-50 mA (-)
-35 mA (-)
-30 mA (-)
-25 mA (-)
-20 mA (-)
-10 mA (-)
6.5 mA (-)
12 mA (-)
20 mA (-)
25 mA (-)
30 mA (-)
32 mA (-)
35 mA (-)
36 mA (-)
40 mA (-)
50 mA (-)
60 mA (-)
65 mA (-)
70 mA (-)
75 mA (-)
80 mA (-)
100 mA (-)
120 mA (-)
150 mA (-)
200 mA (-)
220 mA (-)
250 mA (-)
300 mA (-)
400 mA (-)
500 mA (-)
600 mA (-)
800 mA (-)
1 A (-)
1.1 A (-)
5 A (-)
Potenza dissipata (Ptot)
30 mW (-)
55 mW (-)
60 mW (-)
100 mW (-)
135 mW (-)
136 mW (-)
145 mW (-)
150 mW (-)
160 mW (-)
162 mW (-)
175 mW (-)
200 mW (-)
220 mW (-)
225 mW (-)
230 mW (-)
250 mW (-)
260 mW (-)
280 mW (-)
300 mW (-)
330 mW (-)
350 mW (-)
360 mW (-)
400 mW (-)
450 mW (-)
500 mW (-)
580 mW (-)
600 mW (-)
625 mW (-)
650 mW (-)
700 mW (-)
800 mW (-)
870 mW (-)
1 W (-)
1.1 W (-)
1.2 W (-)
1.25 W (-)
1.3 W (-)
1.4 W (-)
1.9 W (-)
2 W (-)
3 W (-)
3.5 W (-)
4 W (-)
5.5 W (-)
17.5 W (-)
Montaggio
a vite (-)
flangia (-)
foro passante (-)
superficiale (-)
Contenitore
100 mil (-)
2-4E1A (-)
230 mil BeO (-)
70 mil (-)
Cerec-X (-)
Cerex-X (-)
HPAC-100 (-)
HPAC-100B (-)
HPAC-100N (-)
HPAC-200 (-)
HPAC-200GB/GT (-)
Macro-X (-)
Micro-X (-)
SO-8 (-)
SOT-103 (-)
SOT-143 (-)
SOT-143R (-)
SOT-173 (-)
SOT-223 (-)
SOT-23 (-)
SOT-323 (-)
SOT-343 (-)
SOT-343R (-)
SOT-37 (-)
SOT-48 (-)
SOT-89 (-)
TO-106 (-)
TO-18 (-)
TO-39 (-)
TO-5 (-)
TO-50 (-)
TO-72 (-)
TO-92 (-)
TO-92L (-)
86 (-)
Tipo contenitore
ceramico (-)
metallico (-)
plastico (-)
Prodotti trovati:  
Informazioni aggiuntive
Pagine
1
2
3
4
5
6
7
Codice d'ordine AT-00511
Agilent Technologies AT-00511
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Agilent Technologies AT-00511

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 7 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 230 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,30
30+ pz:0,25
100+ pz:0,20
Disponibilità: 2390 pz
compra

Codice d'ordine AT-32011
Hewlett-Packard AT-32011
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Hewlett-Packard AT-32011

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 5.5 V
  • Frequenza di transizione (fT): 10 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 32 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 200 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,20
Disponibilità: 47 pz
compra

Codice d'ordine AT-41410
Agilent Technologies AT-41410
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Agilent Technologies AT-41410

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contenitore 100 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 60 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 100 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:15,00
Disponibilità: 30 pz
compra

Codice d'ordine AT-41470
Avantek AT-41470
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Avantek AT-41470

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 60 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 70 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:17,00
Disponibilità: 8 pz
compra

Codice d'ordine AT-41486
Agilent Technologies AT-41486
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Agilent Technologies AT-41486

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 60 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 86
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.10 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
10+ pz:4,50
Disponibilità: 114 pz
compra

Codice d'ordine AT-41511
Hewlett-Packard AT-41511
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Hewlett-Packard AT-41511

Transistor RF bipolare NPN al silicio, SOT-143

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 6 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 225 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-143
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,35
30+ pz:0,30
100+ pz:0,25
300+ pz:0,22
1000+ pz:0,19
Disponibilità: 2890 pz
compra

Codice d'ordine AT-41586
Hewlett-Packard AT-41586
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Hewlett-Packard AT-41586

Transistor RF bipolare NPN, contentiore plastico 86

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 60 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 86
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
Disponibilità: 31 pz
compra

Codice d'ordine AT-42035
Agilent Technologies AT-42035
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Agilent Technologies AT-42035

Transistor RF bipolare NPN al silicio, micro-X

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: Micro-X
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:6,50
10+ pz:6,15
30+ pz:5,85
Disponibilità: 54 pz
compra

Codice d'ordine AT-42070
Agilent Technologies AT-42070
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Agilent Technologies AT-42070

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 600 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 70 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:13,80
Disponibilità: 18 pz
compra

Codice d'ordine AT-42086
Agilent Technologies AT-42086
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Agilent Technologies AT-42086

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore plastico 86

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 80 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 500 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 86
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,60
5+ pz:2,40
10+ pz:2,25
30+ pz:2,00
100+ pz:1,85
Disponibilità: 926 pz
compra

Codice d'ordine AT-60570
Avantek AT-60570
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Avantek AT-60570

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 70 mil

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 12 V
  • Frequenza di transizione (fT): 8 GHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 40 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: 70 mil
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:17,50
Disponibilità: 12 pz
compra

Codice d'ordine AT-64023
Hewlett-Packard AT-64023
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Hewlett-Packard AT-64023

Transistor RF bipolare NPN al silicio, contentiore 230 mil BeO

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Crrente al collettore (Ic max): 200 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 3 W
  • Montaggio: flangia
  • Contenitore: 230 mil BeO
  • Tipo contenitore: ceramico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 2.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:31,50
5+ pz:29,00
Disponibilità: 0 pz
compra

Codice d'ordine BC253B
ITT Semiconductors BC253B
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ITT Semiconductors BC253B

Transistor RF bipolare PNP al silicio, TO-92

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -25 V
  • Frequenza di transizione (fT): 150 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 300 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-92
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,95
10+ pz:0,85
30+ pz:0,76
100+ pz:0,68
250+ pz:0,62
Disponibilità: 1500 pz
compra

Codice d'ordine BC847BW
Infineon BC847BW
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Infineon BC847BW

Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-323

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 45 V
  • Frequenza di transizione (fT): 250 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-323
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,10
50+ pz:0,08
100+ pz:0,07
Disponibilità: 630 pz
compra

Codice d'ordine BC856
NXP Semiconductors BC856
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NXP Semiconductors BC856

Transistor bipolare PNP, SOT-23

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -65 V
  • Frequenza di transizione (fT): 100 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,10
50+ pz:0,08
100+ pz:0,06
300+ pz:0,05
Disponibilità: 2650 pz
compra

Codice d'ordine BC857B
Samsung BC857B
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Samsung BC857B

Transistor bipolare PNP, SOT-23

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -45 V
  • Frequenza di transizione (fT): 100 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 250 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,08
50+ pz:0,06
100+ pz:0,05
300+ pz:0,04
Disponibilità: 11950 pz
compra

Codice d'ordine BCX51
Philips BCX51
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Philips BCX51

Transistor bipolare PNP, SOT-89

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -45 V
  • Frequenza di transizione (fT): 50 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.3 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,30
5+ pz:0,26
10+ pz:0,23
30+ pz:0,21
100+ pz:0,19
Disponibilità: 680 pz
compra

Codice d'ordine BCX53
Philips BCX53
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Philips BCX53

Transistor bipolare PNP, SOT-89

  • Polarità: PNP
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): -80 V
  • Frequenza di transizione (fT): 50 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): -1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.3 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,30
5+ pz:0,26
10+ pz:0,23
30+ pz:0,21
Disponibilità: 347 pz
compra

Codice d'ordine BCX54
Philips BCX54
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Philips BCX54

Transistor bipolare NPN, SOT-89

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 45 V
  • Frequenza di transizione (fT): 130 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 1 A
  • Potenza dissipata (Ptot): 1.3 W
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-89
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,27
5+ pz:0,23
10+ pz:0,21
30+ pz:0,19
100+ pz:0,17
Disponibilità: 2900 pz
compra

Codice d'ordine BCX70G
Infineon BCX70G
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Infineon BCX70G

Transistor bipolare NPN al silicio, SOT-23

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 45 V
  • Frequenza di transizione (fT): 50 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 100 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 330 mW
  • Montaggio: superficiale
  • Contenitore: SOT-23
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:10 pz
Multiplo:1 pz
10+ pz:0,10
50+ pz:0,07
100+ pz:0,06
300+ pz:0,05
Disponibilità: 1180 pz
compra

Codice d'ordine BF161
SGS-Thomson BF161
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SGS-Thomson BF161

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 50 V
  • Frequenza di transizione (fT): 550 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 20 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 260 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-72
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,60
Disponibilità: 88 pz
compra

Codice d'ordine BF185
Telefunken BF185
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Telefunken BF185

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-72

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 20 V
  • Frequenza di transizione (fT): 200 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 30 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 145 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-72
  • Tipo contenitore: metallico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.40 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,45
Disponibilità: 55 pz
compra

Codice d'ordine BF199
CDIL BF199
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CDIL BF199

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 25 V
  • Frequenza di transizione (fT): 400 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 50 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 350 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-92
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:5 pz
Multiplo:1 pz
5+ pz:0,40
10+ pz:0,37
30+ pz:0,33
100+ pz:0,31
Disponibilità: 810 pz
compra

Codice d'ordine BF255
Thomson-CSF BF255
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Thomson-CSF BF255

Transistor RF bipolare NPN al silicio, TO-92

  • Polarità: NPN
  • Tensione collettore-emettitore (Vce max): 30 V
  • Frequenza di transizione (fT): 250 MHz
  • Crrente al collettore (Ic max): 300 mA
  • Potenza dissipata (Ptot): 30 mW
  • Montaggio: foro passante
  • Contenitore: TO-92
  • Tipo contenitore: plastico
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.30 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,45
5+ pz:0,40
10+ pz:0,36
30+ pz:0,33
100+ pz:0,31
300+ pz:0,29
Disponibilità: 1865 pz
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