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Transistor - FET e GaAs-FET RF di potenza

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Produttore
Tipologia
Tensione drain-source (Vds)
Tensione gate-source (Vgs)
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Guadagno
Potenza di uscita
Potenza dissipata
Frequenza min.
Frequenza max.
Internally matched
Contenitore
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2
Codice d'ordine ATF-45101
Agilent Technologies ATF-45101
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Agilent Technologies ATF-45101

GaAs-FET di media potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 14 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -7 V
  • Corrente di drain (Id): 600 mA
  • Guadagno: 10 dB
  • Potenza di uscita: 29 dBm
  • Potenza dissipata: 3.6 W
  • Frequenza min.: 2 GHz
  • Frequenza max.: 8 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: 100 mil
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:39,50
5+ pz:38,00
10+ pz:37,00
Disponibilità: 22 pz
compra

Codice d'ordine CLY-10
Infineon CLY 10
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Infineon CLY 10

GaAs-FET amplificatore di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 9 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -6 V
  • Corrente di drain (Id): 2.1 A
  • Guadagno: 9 dB
  • Potenza di uscita: 28.5 dBm
  • Potenza dissipata: 3.5 W
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: SOT-223
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:6,00
5+ pz:5,70
10+ pz:5,40
Disponibilità: 1083 pz
compra

Codice d'ordine CLY-2
Infineon CLY 2

GaAs-FET amplificatore di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 9 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -6 V
  • Corrente di drain (Id): 600 mA
  • Guadagno: 15.5 dB
  • Potenza di uscita: 23.5 dBm
  • Potenza dissipata: 900 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: MW-6
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,00
5+ pz:3,80
10+ pz:3,60
Disponibilità: 197 pz
compra

Codice d'ordine EIB1213-2P
Excelics EIB1213-2P
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Excelics EIB1213-2P

FET di potenza internally matched

  • Tipologia: FET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 850 mA
  • Guadagno: 8.5 dB
  • Potenza di uscita: 33 dBm
  • Potenza dissipata: 16 W
  • Frequenza min.: 12.75 GHz
  • Frequenza max.: 13.25 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:95,00
4+ pz:86,50
10+ pz:79,00
Disponibilità: 43 pz
compra

Codice d'ordine EIB1415-2P
Excelics EIB1415-2P
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Excelics EIB1415-2P

FET di potenza internally matched

  • Tipologia: FET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 850 mA
  • Guadagno: 7.5 dB
  • Potenza di uscita: 33 dBm
  • Potenza dissipata: 16 W
  • Frequenza min.: 14.4 GHz
  • Frequenza max.: 15.35 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:105,00
4+ pz:98,00
10+ pz:92,00
Disponibilità: 22 pz
compra

Codice d'ordine EPA240B-100P
Excelics EPA240B-100P
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Excelics EPA240B-100P

HJFET di potenza

  • Tipologia: HJFET
  • Tensione drain-source (Vds): 8 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 710 mA
  • Guadagno: 10.5 dB
  • Potenza di uscita: 32.5 dBm
  • Potenza dissipata: 5.7 W
  • Frequenza max.: 26 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: 100 mil
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:54,00
5+ pz:49,00
10+ pz:44,00
30+ pz:39,00
Disponibilità: 72 pz
compra

Codice d'ordine FLC091WF
Fujitsu FLC091WF
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Fujitsu FLC091WF

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 300 mA
  • Guadagno: 8.5 dB
  • Potenza di uscita: 28.8 dBm
  • Potenza dissipata: 4.16 W
  • Frequenza max.: 12 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:39,00
5+ pz:36,00
10+ pz:33,00
Disponibilità: 16 pz
compra

Codice d'ordine FLC161WF
Fujitsu FLC161WF
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Fujitsu FLC161WF

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 600 mA
  • Guadagno: 7.5 dB
  • Potenza di uscita: 31.8 dBm
  • Potenza dissipata: 7.5 W
  • Frequenza max.: 12 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:82,00
Disponibilità: 2 pz
compra

Codice d'ordine FLK012WF
Fujitsu FLK012WF
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Fujitsu FLK012WF

GaAs-FET di media potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 60 mA
  • Guadagno: 7.5 dB
  • Potenza di uscita: 20.5 dBm
  • Potenza dissipata: 1.15 W
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:25,00
4+ pz:22,50
Disponibilità: 17 pz
compra

Codice d'ordine FLK052WG
Fujitsu FLK052WG
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Fujitsu FLK052WG

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 200 mA
  • Guadagno: 8 dB
  • Potenza di uscita: 27 dBm
  • Potenza dissipata: 3.75 W
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:49,00
4+ pz:46,00
Disponibilità: 5 pz
compra

Codice d'ordine FLL171ME
Fujitsu FLL171ME
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Fujitsu FLL171ME

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 600 mA
  • Guadagno: 12.5 dB
  • Potenza di uscita: 32.5 dBm
  • Potenza dissipata: 7.5 W
  • Frequenza max.: 5 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:33,00
Disponibilità: 13 pz
compra

Codice d'ordine FLM0910-4F
Eudyna FLM0910-4F
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Eudyna FLM0910-4F

GaAs-FET di potenza internally matched

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 1.7 A
  • Guadagno: 7.5 dB
  • Potenza di uscita: 36 dBm
  • Potenza dissipata: 25 W
  • Frequenza min.: 9.3 GHz
  • Frequenza max.: 10.7 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:158,00
Disponibilità: 17 pz
compra

Codice d'ordine FLM7177-4D
Fujitsu FLM7177-4D
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Fujitsu FLM7177-4D

GaAs-FET di potenza internally matched

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 1.8 A
  • Guadagno: 8 dB
  • Potenza di uscita: 36 dBm
  • Potenza dissipata: 25 W
  • Frequenza min.: 7 GHz
  • Frequenza max.: 7.9 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:125,00
Disponibilità: 12 pz
compra

Codice d'ordine FLM7177-8D
Fujitsu FLM7177-8D
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Fujitsu FLM7177-8D

GaAs-FET di potenza internally matched

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 2.2 A
  • Guadagno: 7 dB
  • Potenza di uscita: 39 dBm
  • Potenza dissipata: 42.8 W
  • Frequenza min.: 6.9 GHz
  • Frequenza max.: 7.9 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:135,00
4+ pz:125,00
Disponibilità: 30 pz
compra

Codice d'ordine FLR014FH
Fujitsu FLR014FH
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Fujitsu FLR014FH

GaAs-FET di media potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 60 mA
  • Guadagno: 6.5 dB
  • Potenza di uscita: 19.5 dBm
  • Potenza dissipata: 1 W
  • Frequenza max.: 20 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,80
5+ pz:8,20
10+ pz:7,80
Disponibilità: 124 pz
compra

Codice d'ordine FLR016FH
Fujitsu FLR016FH
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Fujitsu FLR016FH

GaAs-FET di media potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 13 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 70 mA
  • Guadagno: 8.5 dB
  • Potenza di uscita: 20 dBm
  • Potenza dissipata: 1.15 W
  • Frequenza max.: 20 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:11,20
5+ pz:10,60
10+ pz:9,80
Disponibilità: 429 pz
compra

Codice d'ordine FLU10XM
Fujitsu FLU10XM
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Fujitsu FLU10XM

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 300 mA
  • Guadagno: 14.5 dB
  • Potenza di uscita: 29.5 dBm
  • Potenza dissipata: 4.16 W
  • Frequenza max.: 5 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:5,95
5+ pz:5,45
10+ pz:5,05
Disponibilità: 257 pz
compra

Codice d'ordine FLX102MH-12
Fujitsu FLX102MH-12

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 15 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 400 mA
  • Guadagno: 7.5 dB
  • Potenza di uscita: 30 dBm
  • Potenza dissipata: 7.5 W
  • Frequenza max.: 14 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:72,00
Disponibilità: 12 pz
compra

Codice d'ordine FMC3485VA-03
Fujitsu FMC3485VA-03
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Fujitsu FMC3485VA-03

GaAs-FET di potenza internally matched

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Corrente di drain (Id): 270 mA
  • Guadagno: 20 dB
  • Potenza di uscita: 24 dBm
  • Frequenza min.: 2.5 GHz
  • Frequenza max.: 9.5 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 10.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:49,00
3+ pz:45,00
10+ pz:41,50
Disponibilità: 22 pz
compra

Codice d'ordine FMM5061VF
Fujitsu FMM5061VF
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Fujitsu FMM5061VF

MMIC di potenza internally matched

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -7 V
  • Corrente di drain (Id): 1.7 A
  • Guadagno: 26 dB
  • Potenza di uscita: 33 dBm
  • Frequenza min.: 9.5 GHz
  • Frequenza max.: 13.3 GHz
  • Internally matched: Si
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:150,00
Disponibilità: 5 pz
compra

Codice d'ordine FSX52WF
Fujitsu FSX52WF
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Fujitsu FSX52WF

GaAs-FET di media potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 12 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 150 mA
  • Guadagno: 10 dB
  • Potenza di uscita: 23 dBm
  • Potenza dissipata: 1.5 W
  • Frequenza max.: 15 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: metal-ceramic hermetic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:23,00
5+ pz:21,50
10+ pz:20,00
30+ pz:14,80
100+ pz:16,90
Disponibilità: 297 pz
compra

Codice d'ordine KGF1323C
OKI KGF1323C
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OKI KGF1323C

GaAs-FET ampificatore di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -6 V
  • Corrente di drain (Id): 3 A
  • Guadagno: 9.5 dB
  • Potenza di uscita: 33.4 dBm
  • Potenza dissipata: 5 W
  • Frequenza max.: 3 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: SOT-89
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:5,60
5+ pz:5,30
10+ pz:4,90
Disponibilità: 163 pz
compra

Codice d'ordine LP1500P100
Filtronic LP1500P100
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Filtronic LP1500P100

AlGaAs-pHEMT di potenza

  • Tipologia: AlGaAs-pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 12 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 490 A
  • Guadagno: 9 dB
  • Potenza di uscita: 31 dBm
  • Potenza dissipata: 3 W
  • Frequenza max.: 15 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: ceramic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:49,00
5+ pz:47,00
10+ pz:45,00
30+ pz:43,00
Disponibilità: 37 pz
compra

Codice d'ordine MGF0904A
MITSUBISHI MGF0904A-01
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MITSUBISHI MGF0904A-01

GaAs-FET di potenza

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 8 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -17 V
  • Corrente di drain (Id): 800 mA
  • Guadagno: 13 dB
  • Potenza di uscita: 28 dBm
  • Potenza dissipata: 3.75 W
  • Frequenza max.: 3 GHz
  • Internally matched: No
  • Contenitore: ceramic
  • Montaggio: flangia
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:35,50
Disponibilità: 13 pz
compra

Pagine
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