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Transistor - FET e GaAs-FET RF

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Produttore
Tipologia
Tensione drain-source (Vds)
Tensione gate-source (Vgs)
Corrente di drain (Id)
Guadagno associato (Ga)
Potenza dissipata
Frequenza max.
Contenitore
Montaggio
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1
2
Codice d'ordine ATF-10136
Agilent Technologies ATF-10136
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Agilent Technologies ATF-10136

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 130 mA
  • Guadagno associato (Ga): 13 dB
  • Potenza dissipata: 430 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: micro-X
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,10
5+ pz:3,95
10+ pz:3,80
30+ pz:3,65
100+ pz:3,50
300+ pz:3,30
Disponibilità: 1247 pz
compra

Codice d'ordine ATF-10736
Hewlett-Packard ATF-10736
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Hewlett-Packard ATF-10736

GaAs-FET per uso generale e basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 130 mA
  • Guadagno associato (Ga): 13 dB
  • Potenza dissipata: 430 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: micro-X
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:3,80
5+ pz:3,65
10+ pz:3,50
30+ pz:3,35
100+ pz:3,20
Disponibilità: 540 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13136
Hewlett-Packard ATF-13136
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Hewlett-Packard ATF-13136

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 9.5 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: micro-X
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
5+ pz:4,75
10+ pz:4,60
Disponibilità: 195 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13170
Hewlett-Packard ATF-13170
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Hewlett-Packard ATF-13170

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 10 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:21,50
5+ pz:19,80
Disponibilità: 20 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13284
Avantek ATF-13284
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Avantek ATF-13284

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 15 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 12 GHz
  • Contenitore: 85 mil plastic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,00
Disponibilità: 10 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13484
Hewlett-Packard ATF-13484
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Hewlett-Packard ATF-13484

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 14 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: 85 mil plastic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
Disponibilità: 10 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13736
Agilent Technologies ATF-13736
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Agilent Technologies ATF-13736

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 9 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: micro-X
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,70
5+ pz:2,50
10+ pz:2,20
30+ pz:1,95
100+ pz:1,80
Disponibilità: 5843 pz
compra

Codice d'ordine ATF-13786
Hewlett-Packard ATF-13786
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Hewlett-Packard ATF-13786

GaAs-FET ad alta dinamica per oscillatori

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 4 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 70 mA
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: 85 mil plastic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:5,30
Disponibilità: 17 pz
compra

Codice d'ordine ATF-21170
Hewlett-Packard ATF-21170
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Hewlett-Packard ATF-21170

GaAs-FET a basso rumore e alta dinamica

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 7 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 120 mA
  • Guadagno associato (Ga): 13 dB
  • Potenza dissipata: 600 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:21,50
5+ pz:19,80
Disponibilità: 4 pz
compra

Codice d'ordine ATF-21186
Agilent Technologies ATF-21186
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Agilent Technologies ATF-21186

GaAs-FET basso rumore per uso generale

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 120 mA
  • Guadagno associato (Ga): 12.6 dB
  • Potenza dissipata: 400 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: 85 mil plastic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,40
5+ pz:2,15
10+ pz:1,90
30+ pz:1,70
100+ pz:1,50
Disponibilità: 2359 pz
compra

Codice d'ordine ATF-26884
Hewlett-Packard ATF-26884
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Hewlett-Packard ATF-26884

GaAs-FET per uso generale

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 7 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 6 dB
  • Potenza dissipata: 275 mW
  • Frequenza max.: 16 GHz
  • Contenitore: 85 mil plastic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.05 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,90
5+ pz:2,65
10+ pz:2,40
30+ pz:2,20
100+ pz:1,95
Disponibilità: 1096 pz
compra

Codice d'ordine ATF-33143
Agilent Technologies ATF-33143
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Agilent Technologies ATF-33143

pHEMT ad alta dinamica e basso rumore

  • Tipologia: pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 5.5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 237 mA
  • Guadagno associato (Ga): 21 dB
  • Potenza dissipata: 600 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: SOT-343
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,60
5+ pz:2,35
10+ pz:2,15
30+ pz:1,95
Disponibilità: 311 pz
compra

Codice d'ordine ATF-35076
Hewlett-Packard ATF-35076
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Hewlett-Packard ATF-35076

pHEMT a basso rumore

  • Tipologia: pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 4 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 50 mA
  • Guadagno associato (Ga): 11 dB
  • Potenza dissipata: 225 mW
  • Frequenza max.: 18 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:3,95
5+ pz:3,75
10+ pz:3,60
30+ pz:3,45
100+ pz:3,30
Disponibilità: 561 pz
compra

Codice d'ordine ATF-36077
Agilent Technologies ATF-36077
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Agilent Technologies ATF-36077

pHEMT ultra low noise

  • Tipologia: pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 3 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 25 mA
  • Guadagno associato (Ga): 12 dB
  • Potenza dissipata: 180 mW
  • Frequenza max.: 18 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,50
Disponibilità: 4 pz
compra

Codice d'ordine ATF-52189
Avago ATF-52189
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Avago ATF-52189

E-pHEMT ad alta linearità

  • Tipologia: E-pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 7 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 500 mA
  • Guadagno associato (Ga): 16 dB
  • Potenza dissipata: 1.5 W
  • Frequenza max.: 3 GHz
  • Contenitore: SOT-89
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:3,60
5+ pz:3,35
10+ pz:2,95
30+ pz:2,70
100+ pz:2,40
Disponibilità: 2451 pz
compra

Codice d'ordine ATF-54143
Agilent Technologies ATF-54143
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Agilent Technologies ATF-54143

E-pHEMT a basso rumore

  • Tipologia: E-pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 120 mA
  • Guadagno associato (Ga): 16.6 dB
  • Potenza dissipata: 360 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: SOT-343
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
5+ pz:4,70
10+ pz:4,50
30+ pz:4,25
100+ pz:3,95
Disponibilità: 2404 pz
compra

Codice d'ordine ATF-55143
Agilent Technologies ATF-55143
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Agilent Technologies ATF-55143

E-pHEMT a basso rumore

  • Tipologia: E-pHEMT
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 100 mA
  • Guadagno associato (Ga): 17.7 dB
  • Potenza dissipata: 270 mW
  • Frequenza max.: 6 GHz
  • Contenitore: SOT-343
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
5+ pz:4,70
10+ pz:4,50
30+ pz:4,25
100+ pz:3,95
Disponibilità: 491 pz
compra

Codice d'ordine CF-739
Siemens CF 739
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Siemens CF 739

GaAs-MESFET dual gate a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-MESFET
  • Tensione drain-source (Vds): 10 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -6 V
  • Corrente di drain (Id): 80 mA
  • Guadagno associato (Ga): 22 dB
  • Potenza dissipata: 240 mW
  • Frequenza max.: 2 GHz
  • Contenitore: SOT-143
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.20 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:2,80
5+ pz:2,60
10+ pz:2,40
30+ pz:2,20
100+ pz:1,95
250+ pz:1,70
Disponibilità: 615 pz
compra

Codice d'ordine CF-750
Siemens CF 750
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Siemens CF 750

GaAs-FET dual gate per uso generale

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 8 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 80 mA
  • Guadagno associato (Ga): 10 dB
  • Potenza dissipata: 300 mW
  • Frequenza max.: 3 GHz
  • Contenitore: SOT-143
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:0,90
5+ pz:0,70
10+ pz:0,55
30+ pz:0,40
100+ pz:0,30
Disponibilità: 8981 pz
compra

Codice d'ordine CFY-10
Siemens CFY 10
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Siemens CFY 10

GaAs-FET ad alta dinamica e basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 5 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -5 V
  • Corrente di drain (Id): 100 mA
  • Guadagno associato (Ga): 10 dB
  • Potenza dissipata: 500 mW
  • Frequenza max.: 12 GHz
  • Contenitore: 100 mil
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:5,80
5+ pz:5,30
10+ pz:4,90
Disponibilità: 114 pz
compra

Codice d'ordine EFA018A-70
Excelics EFA018A-70
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Excelics EFA018A-70

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 6 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 40 mA
  • Guadagno associato (Ga): 10.5 dB
  • Potenza dissipata: 240 mW
  • Frequenza max.: 26 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,50
5+ pz:8,35
10+ pz:8,20
Disponibilità: 98 pz
compra

Codice d'ordine EFA025A-70
Excelics EFA025A-70
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Excelics EFA025A-70

GaAs-FET a basso rumore

  • Tipologia: GaAs-FET
  • Tensione drain-source (Vds): 6 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -4 V
  • Corrente di drain (Id): 52 mA
  • Guadagno associato (Ga): 10 dB
  • Potenza dissipata: 310 mW
  • Frequenza max.: 26 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,90
5+ pz:8,70
10+ pz:8,50
Disponibilità: 431 pz
compra

Codice d'ordine EPA018A-70
Excelics EPA018A-70
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Excelics EPA018A-70

HFET ad alta efficienza e basso rumore

  • Tipologia: HFET
  • Tensione drain-source (Vds): 6 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 40 mA
  • Guadagno associato (Ga): 12.5 dB
  • Potenza dissipata: 240 mW
  • Frequenza max.: 26 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,20
5+ pz:8,50
10+ pz:7,90
30+ pz:7,20
100+ pz:6,60
250+ pz:5,90
Disponibilità: 314 pz
compra

Codice d'ordine EPA060B-70
Excelics EPA060B-70
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Excelics EPA060B-70

HFET ad alta efficienza e basso rumore

  • Tipologia: HFET
  • Tensione drain-source (Vds): 6 V
  • Tensione gate-source (Vgs): -3 V
  • Corrente di drain (Id): 110 mA
  • Guadagno associato (Ga): 20 dB
  • Potenza dissipata: 650 mW
  • Frequenza max.: 26 GHz
  • Contenitore: 70 mil ceramic
  • Montaggio: SMD
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:11,00
5+ pz:10,40
10+ pz:9,80
30+ pz:8,90
100+ pz:7,90
Disponibilità: 435 pz
compra

Pagine
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