Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

Transistor RF di potenza NPN al silicio, TO-39

• Polarità:
  NPN
• Potenza di uscita:
  1 W
• Potenza dissipata (Ptot):
  3 W
• Corrente al collettore (Ic max):
  400 mA
• Tensione collettore-emettitore (Vce max) :
  40 V
• Tensione di alimentazione:
  13.5 V
• Montaggio o contentitore:
  TO-39
• Bande di frequenza:
  VHF