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Transistor - FET e MOSFET di potenza

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Canale
(-)
Potenza di uscita
5 W (-)
10 W (-)
12 W (-)
15 W (-)
18 W (-)
20 W (-)
30 W (-)
45 W (-)
75 W (-)
150 W (-)
Potenza dissipata (Ptot)
20 W (-)
40 W (-)
43 W (-)
48 W (-)
58 W (-)
65 W (-)
70 W (-)
75 W (-)
115 W (-)
150 W (-)
400 W (-)
Crrente di drain (Id max)
1 A (-)
2 A (-)
2.5 A (-)
4 A (-)
4.5 A (-)
5.6 A (-)
20 A (-)
26 A (-)
Tensione drain-souce (Vds max)
20 V (-)
30 V (-)
45 V (-)
55 V (-)
64 V (-)
65 V (-)
100 V (-)
Tensione di alimentazione
12.5 V (-)
26 V (-)
28 V (-)
45 V (-)
Montaggio o contentitore
flangia (-)
SMD (-)
TO-220 (-)
Modo operativo
CW/SSB/FM (-)
class-A (-)
class-B (-)
Bande di frequenza
HF (-)
UHF (-)
VHF (-)
Prodotti trovati:  
Pagine
1
Codice d'ordine BLF245B
Philips BLF245B
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Philips BLF245B

VHF push-pull MOS transistor di potenza, 28V, 30W, 4.5A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 30 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 75 W
  • Crrente di drain (Id max): 4.5 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 65 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Modo operativo: CW/SSB/FM, class-B
  • Bande di frequenza: VHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 3.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:47,00
Disponibilità: 4 pz
compra

Codice d'ordine DV1205S
MA-COM PHI Inc. DV1205S
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MA-COM PHI Inc. DV1205S

N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/VHF, 6-24V, 5W, 1A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 5 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 20 W
  • Crrente di drain (Id max): 1 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 45 V
  • Tensione di alimentazione: 12.5 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Modo operativo: class-A
  • Bande di frequenza: VHF, HF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 6.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:8,90
4+ pz:8,40
10+ pz:7,90
Disponibilità: 27 pz
compra

Codice d'ordine DV1210S
MA-COM PHI Inc. DV1210S
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MA-COM PHI Inc. DV1210S

N-channel enhancement-mode RF power FET, amplificatore HF/VHF, 10-20V, 10W, 2A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 10 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 40 W
  • Crrente di drain (Id max): 2 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 20 V
  • Tensione di alimentazione: 45 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Modo operativo: class-A
  • Bande di frequenza: VHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 6.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:11,00
4+ pz:9,80
Disponibilità: 13 pz
compra

Codice d'ordine IRF510
International Rectifier IRF510
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International Rectifier IRF510

Power MOSFET switch veloce, 20-28V, 5.6A, TO-220

  • Potenza dissipata (Ptot): 43 W
  • Crrente di drain (Id max): 5.6 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 100 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: TO-220
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.90 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:1,45
10+ pz:1,25
Disponibilità: 71 pz
compra

Codice d'ordine MRF136
Motorola MRF136
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Motorola MRF136

N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 15W, 2.5A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 15 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 65 W
  • Crrente di drain (Id max): 2.5 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 55 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Modo operativo: class-A
  • Bande di frequenza: VHF, UHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 4.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:33,50
Disponibilità: 5 pz
compra

Codice d'ordine MRF166C
Motorola MRF166C
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Motorola MRF166C

N-channel enhancement-mode RF power FET, 28V, 20W, 4A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 20 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 70 W
  • Crrente di drain (Id max): 4 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 65 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Bande di frequenza: VHF, UHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 3.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:33,00
4+ pz:31,00
10+ pz:29,00
Disponibilità: 25 pz
compra

Codice d'ordine MRF171
Motorola MRF171
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Motorola MRF171

N-channel enhancement-mode RF power MOSFET, 28V, 45W, 4.5A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 45 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 115 W
  • Crrente di drain (Id max): 4.5 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 65 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Modo operativo: class-A
  • Bande di frequenza: VHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 4.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:39,00
4+ pz:37,00
10+ pz:35,00
30+ pz:33,40
Disponibilità: 39 pz
compra

Codice d'ordine MRF275G
Motorola MRF275G
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
Motorola MRF275G

N-channel enhancement-mode RF push-pull power FET, 28V, 150W, 26A

  • Canale: N
  • Potenza di uscita: 150 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 400 W
  • Crrente di drain (Id max): 26 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 65 V
  • Tensione di alimentazione: 28 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Bande di frequenza: UHF, VHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 11.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:59,00
4+ pz:53,00
10+ pz:49,00
Disponibilità: 2 pz
compra

Codice d'ordine PTF10041
ERICSSON PTF10041
L'immagine è indicativa, vedere la descrizione
ERICSSON PTF10041

RF power LD MOSFET, 26V, 12W

  • Potenza di uscita: 12 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 58 W
  • Tensione drain-souce (Vds max): 64 V
  • Tensione di alimentazione: 26 V
  • Montaggio o contentitore: SMD
  • Bande di frequenza: UHF
Ulteriori dettagli
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 0.50 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:9,00
4+ pz:8,50
Disponibilità: 335 pz
compra

Codice d'ordine RD15HVF1
MITSUBISHI RD15HVF1
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MITSUBISHI RD15HVF1

MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 18W, 4A, contenitore TO-220

  • Potenza di uscita: 18 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 48 W
  • Crrente di drain (Id max): 4 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 30 V
  • Tensione di alimentazione: 12.5 V
  • Montaggio o contentitore: TO-220
  • Bande di frequenza: VHF, UHF
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 1.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:4,90
10+ pz:4,55
Disponibilità: 62 pz
compra

Codice d'ordine RD70HVF1
MITSUBISHI RD70HVF1
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MITSUBISHI RD70HVF1

MOSFET power transistor RF al silicio, 12.5V, 75W, 20A

  • Potenza di uscita: 75 W
  • Potenza dissipata (Ptot): 150 W
  • Crrente di drain (Id max): 20 A
  • Tensione drain-souce (Vds max): 30 V
  • Tensione di alimentazione: 12.5 V
  • Montaggio o contentitore: flangia
  • Bande di frequenza: VHF, UHF
Ulteriori dettagli
RoHS: Si
Condizioni: Nuovo
Peso unitario: 6.00 g
Minimo:1 pz
Multiplo:1 pz
1+ pz:32,00
Disponibilità: 47 pz
compra

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